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Transistor IRFZ34N Mosfet TO220 CH-N 55 V 26 A

Transistor IRFZ34N Mosfet TO220 CH-N 55 V 26 A

TRAIRFZ34N

$ 29.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor  IRFZ24N de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

El IRFZ34N es un transistor MOSFET de N-canal HEXFET® de 55 V con una resistencia extremadamente baja por área de silicio y un rendimiento de conmutación rápido usando tecnología planar avanzada.


    • Tecnología de proceso avanzada
    • Clasificación dinámica dv / dt
    • Temperatura de funcionamiento 175 ° C
    • Cambio rápido
    • Totalmente clasificado como avalancha
    • Aplicaciones: Administración de potencia

    Información Básica

      • Polaridad del transistor: Canal N
      • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 55 V
      • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20 V
      • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 26 A
      • Corriente de drenaje pulsada IDP: 100 A
      • Corriente de avalancha IAR: 16 A
      • Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 56 W
      • Resistencia de activación RDS(on) máxima: 0.040 Ohms
      • Temperatura de operación mínima: -55 °C
      • Temperatura de operación máxima: 175 °C
      • Encapsulado: TO-220
      • Número de pines: 3

      Sustituto

      NTE2389      MTP27N06

      Documentación

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