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Transistor IRFZ22 Mosfet TO220 CH-N 50 V 14 A

Transistor IRFZ22 Mosfet TO220 CH-N 50 V 14 A

TRAIRFZ22

$ 20.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor  IRFZ22 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

El IRFZ22  es un MOSFET de potencia de canal N que ofrece todas las ventajas bien establecidas como el control de voltaje, la conmutación muy rápida, la facilidad de conexión en paralelo y la estabilidad de la temperatura de los parámetros eléctricos. Es muy adecuado para aplicaciones como conmutación de fuentes de alimentación, controles de motores, inversores, choppers y circuitos de impulsos de alta energía, etc. La tecnología ha ampliado su base de productos para cumplir con los requisitos de transistores MOSFET de bajo voltaje y muy bajo RDS (on).


  • RDS extremadamente bajo (activado)
  • Cambio rápido
  • Baja corriente de accionamiento
  • Facilidad de paralelismo
  • Excelente estabilidad de temperatura
  • Partes por millón de calidad
  • Aplicaciones: Administración de potencia, control de motor, audio, automoción, dispositivos portátiles

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal N
  • Intensidad drenador continua Id: 14 A
  • Tensión drenaje-fuente Vds: 50V
  • Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V
  • Tensión umbral Vgs: 4 V
  • Disipación de potencia Pd: 60 W
  • Resistencia de activación Rds(on) typ: 0.080 ohm
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • 3 pines

Sustituto

NTE2389   IRFZ20

Documentación 

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