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Transistor IRFS640 Mosfet TO220 CH-N 200 V 18 A

Transistor IRFS640 Mosfet TO220 CH-N 200 V 18 A

TRAIRFS640A

$ 24.00 MXN

Precio Regular: $ 35.00
Precio incluye IVA

Descripción

El transistor IRFS640 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

El IRFS640 es un dispositivo  adecuado para convertidores CC / CC de conmutación de alta eficiencia, fuentes de alimentación conmutadas, convertidores CC-CA para suministro de energía ininterrumpido y control del motor.

  • 18 A, 200 V, RDS (encendido)  = 0.18Ω  @VGS  = 10 V
  • Carga de puerta baja (45 nC típico)
  • Crs baja (45 pF típica)
  • Cambio rápido
  • 100% de avalancha probado
  • Mejora de la capacidad dv / dt
  • Aplicaciones: Conmutación de alta eficiencia de convertidores CC / CC, fuentes de alimentación conmutadas, convertidores CC-CA para una fuente de alimentación ininterrumpida y control del motor

Información Básica

  •  Polaridad: Canal-N
  • Voltaje drenaje-fuente VDSS: 200 V
  • Voltaje puerta-fuente VGSS: ± 30 V
  • Corriente continua ID: 18 A
  • Corriente pulso drenaje máxima IDM: 72 A
  • Disipación de potencia  PD (TC=25°C): 25 W
  • Resistencia de activación RDS(on) typ:  0.145 Ω
  • Temperatura de operación máxima: 150°C
  • Encapsulado: TO-220F
  • 3 pines

Sustituto

NTE2944  2SK3003   FQP19N20   IRF640N

Documentación

Datasheet

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