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Transistor IRFS614B Mosfet TO220 CH-P 250 V 2.8 A

Transistor IRFS614B Mosfet TO220 CH-P 250 V 2.8 A

TRAIRFS614B

$ 25.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor IRFS614B  de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

  • 2.8A, 250V, RDS (encendido) = 2.0Ω @VGS = 10 V
  • Carga baja de la puerta (típica 8.1 nC)
  • Baja Crss (típica 7.5 pF)
  • Conmutación rápida
  • Prueba de avalancha 100%
  • Capacidad mejorada de dv / dt
  • Aplicaciones: Conmutación de convertidores CC / CC y fuentes de alimentación conmutadas

Información Básica

  •  Polaridad: Canal-P
  • Voltaje máximo VDSS: 250  V
  • Voltaje máximo VGSS: ± 30 V
  • Corriente máxima ID: 2.8 A
  • Corriente pulso máxima IDM: 8.5 A
  • Disipación máxima PD (TC=25°C): 22 W
  • Resistencia de activación RDS(on) typ:  1.49 Ω
  • Temperatura de operación máxima: 150°C
  • Encapsulado: TO-220F
  • 3 pines

    Sustituto

    No aplica

    Documentación

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