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Transistor IRFP9240 Mosfet Potencia CH-P 200 V 12 A

Transistor IRFP9240 Mosfet Potencia CH-P 200 V 12 A

TRAIRFP9240

$ 129.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor IRFP9240 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

El IRFP9240 es un MOSFET de potencia de canal P de -200V, el MOSFET de potencia de tercera generación proporciona al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto y baja resistencia.

  • Valor dinámico dV / dt
  • Avalancha repetitiva
  • Fácil de paralelo
  • Requisito de unidad simple
  • Agujero de montaje central aislado
  • Conmutación rápida
  • Aplicaciones: Administración de potencia

Información Básica

  • Polaridad de transistor: Canal P
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: -200 V
  • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20 V
  • Voltaje de drenaje a puerta VDGR: 200 V
  • Corriente continua de drenaje ID: -12 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDP: -48 A
  • Corriente de avalancha IAR: -12 A
  • Disipación de potencia máxima PD: 150 W
  • Resistencia de activación máxima: 0.50 ohms
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO-247
  • Número de pines: 3

Sustituto

NTE2905 

 

Documentación

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