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Transistor IRFP460 Mosfet Potencia CH-N 500 V 20 A

Transistor IRFP460 Mosfet Potencia CH-N 500 V 20 A

TRAIRFP460

$ 160.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor IRFP460 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

El IRFP460PBF es un MOSFET de potencia de N-canal de 500V, el MOSFET de potencia de tercera generación proporciona al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto y baja resistencia.

 

  • Clasificación dv/dt dinámica
  • Clasificado avalancha repetitiva
  • Fácil conexión paralela
  • Requerimiento controlador sencillo
  • Orificio de montaje central aislado
  • Conmutación rápida
  • Aplicaciones: Administración de potencia

Información Básica

  • Polaridad: Canal N
  • Tensión drenaje-fuente Vds: 500 V
  • Voltaje puerta- fuente VGS:± 30
  • Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V
  • Tensión umbral Vgs: 4 V
  • Intensidad drenador continua Id: 20 A
  • Disipación de potencia Pd: 280 W
  • Resistencia de activación Rds(on) typ: 0.2 Ω
  • Temperatura de trabajo máxima: 150°C
  • Encapsulado TO-247
  • 3 pines

Sustituto

NTE2970    2SK2372     2SK2837   FQA18N50V2     FQA24N50    

Documentación

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