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Transistor IRFP450 Mosfet Potencia CH-N 500 V 14 A

Transistor IRFP450 Mosfet Potencia CH-N 500 V 14 A

TRAIRFP450

$ 125.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor IRFP450 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

El IRFP450 es un MOSFET de potencia de N-canal de 500V con carga de puerta baja Qg da como resultado un requerimiento de unidad simple. Funciona a alta frecuencia con una aplicación de conmutación fuerte. Apto para SMPS y conmutación de energía de alta velocidad.

 

  • Baja resistencia RDS (ON)
  • Capacidad alta de dc / dt
  • Avalancha probado 100 %
  • Capacitancia intrínsecas muy bajas
  • Carga de puerta minimizada
  • Aplicaciones: Administración de Potencia

Información Básica

    • Polaridad del transistor: Canal N
    • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 500 V
    • Voltaje de drenaje a puerta VDGR: 500 V
    • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20 V
    • Corriente continua de drenaje ID: 14 A
    • Corriente de drenaje pulsada IDP: 56 A
    • Corriente de avalancha IAR: 8.7 A
    • Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 190 W
    • Resistencia de disparo RDS(on) typ: 0.33 Ω
    • Temperatura de operación mínima: -55 °C
    • Temperatura de operación máxima: 150 °C
    • Encapsulado TO-247
    • Número de pines: 3

    Sustituto

    NTE2394  2SK790

    Documentación

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