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Transistor IRFP250N Mosfet Potencia CH-N 200 V 30 A

Transistor IRFP250N Mosfet Potencia CH-N 200 V 30 A

TRAIRFP250

$ 72.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor IRFP250N de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

El IRFP250N en estado de conducción extremadamente baja por área de silicio, valor dinámico dv/dt, facilidad de paralelismo, resistente, conmutación rápida, requisitos sencillos de conducción y calificación total para avalancha. Como resultado, estos MOSFET de potencia son conocidos por su eficiencia y confiabilidad extremas que los hacen aptos para su uso en una gran variedad de aplicaciones.

 

  • Con diodo zener
  • Tecnología de proceso avanzada
  • Calificación dinámica dv / dt
  • Cambio rápido
  • Avalancha completa
  • Facilidad de paralelismo
  • Requisitos de manejo simples
  • Aplicaciones: Administración de potencia, industrial, dispositivos portátiles, electrónica de consumo  

Información Básica

  • Polaridad de transistor: Canal N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 200 V
  • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±30 V
  • Voltaje de drenaje a puerta VDGR: 50 V
  • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 30 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDP: 120 A
  • Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V
  • Tensión umbral Vgs: 4 V
  • Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 214 W
  • Resistencia de activación Rds(on) máxima: 0.075 Ω
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 175 °C
  • Encapsulado: TO-247
  • Número de pines: 3

Sustituto

NTE2376

Documentación

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