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Transistor STGW20NC60VD Mosfet IGBT Potencia 600 V 60 A

Transistor STGW20NC60VD Mosfet IGBT Potencia 600 V 60 A

TRASTGW20NC60VD

$ 175.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El STGW20NC60VD es un IGBT muy rápido de 600V que utiliza el proceso avanzado Power MESH™, lo que resulta en una excelente compensación entre el rendimiento de conmutación y el comportamiento de bajo estado de encendido. Es adecuado para su uso con inversores de alta frecuencia, UPS, accionamiento de motor, SMPS y PFC tanto en topologías de interruptor duro como resonante.

 

  • Gran capacidad de corriente
  • Operación de alta frecuencia hasta 50KHz
  • Diodo antiparalelo de recuperación ultra rápida muy suave
  • Voltaje de Compuerta-emisor de ±20V
  • Resistencia térmica de IGBT de 0.63°C/W, unión a carcasa
  • Resistencia térmica de IGBT de 1.5°C/W, unión a carcasa
  • Resistencia térmica 50°C/W, unión a ambiente
  • Aplicaciones: Administración de potencia 

      Información Básica

      • Tipo: IGBT
      • Voltaje de colector-emisorVCEO: 600 V
      • Voltaje de saturación colector-emisor: 1.7 V
      • Corriente de colector continua: 60 A
      • Corriente de colector DC: 60 A
      • Disipación de potencia máxima PD: 200 W
      • Temperatura de operación mínima: -55 °C
      • Temperatura de operación máxima: 150 °C
      • Encapsulado: TO-247
      • Número de pines: 3

      Sustituto

      No Aplica

      Documentación

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