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Transistor IRFP240PBF Mosfet Potencia CH-N 200 V 20 A

Transistor IRFP240PBF Mosfet Potencia CH-N 200 V 20 A

TRAIRFP240

$ 65.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor IRFP240 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

El IRFP240 es un MOSFET de 200 V de canal N HEXFET® de potencia N con un bajo nivel de resistencia por zona de silicio y un rendimiento de conmutación rápido utilizando tecnología planar avanzada.que   proporciona al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño robusto del dispositivo y baja resistencia.

  • Valor dinámico dV / dt
  • Avalancha repetitiva
  • Fácil de conectar
  • Requisito de unidad simple
  • Agujero de montaje central aislado
  • Conmutación rápida
  • Aplicaciones: Administración de potencia

    Información Básica

    • Polaridad de transistor: Canal N
    • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 200 V
    • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20 V
    • Voltaje de drenaje a puerta VDGR: 200 V
    • Corriente continua de drenaje ID: 20 A
    • Corriente de drenaje pulsada IDP: 80 A
    • Corriente de avalancha IAR: 20 A
    • Disipación de potencia máxima PD: 150 W
    • Resistencia de activación RDS (ON) typ: 0.14 Ω
    • Temperatura de operación mínima: -55 °C
    • Temperatura de operación máxima: 150 °C
    • Encapsulado: TO-247
    • Número de pines: 3

    Sustituto

    NTE2376   

    Documentación

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