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Transistor IRFIZ48G Mosfet TO220 CH-N 60 V 37 A

Transistor IRFIZ48G Mosfet TO220 CH-N 60 V 37 A

TRAIRFIZ48

$ 29.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor IRFIZ48G de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

El IRFIZ48G es un MOSFET de potencia de tercer canal de potencia de mejora de canal N de tercera generación que viene con la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto y baja resistencia ON. El FULLPAK elimina la necesidad de hardware aislante adicional. El compuesto de moldeo utilizado proporciona una alta capacidad de aislamiento y una baja resistencia térmica entre la lengüeta y el disipador de calor externo. El aislamiento es equivalente a usar una barrera de mica de 100 micras con un producto estándar. El FULLPAK está montado en un disipador de calor con un único clip o con una sola fijación de tornillo.

  • Paquete aislado
  • Aislamiento de alta tensión 2.5kVRMS (t = 60s, f = 60Hz)
  • 4.8 mm de sumidero para conducir la distancia de fuga
  • Valor dinámico dV / dt
  • Baja resistencia térmica
  • Aplicaciones: Administración de potencia, industrial

    Especificaciones

    • Polaridad: Canal N
    • Tensión drenaje-fuente Vds: 60 V
    • Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V
    • Tensión umbral Vgs: 4 V
    • Intensidad drenador continua Id: 37 A
    • Disipación de potencia Pd: 50 W
    • Resistencia de activación Rds(on) máxima: 0.018 ohm
    • Temperatura de trabajo mínima: -55°C
    • Temperatura de trabajo máxima: 175°C 
    • Encapsulado TO-220F
    • 3 pines

    Sustituto

    MTP52N06V    STP55NE06

    Documentación

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