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Transistor IRFI630G Mosfet TO220 CH-N 200 V 5.9 A

Transistor IRFI630G Mosfet TO220 CH-N 200 V 5.9 A

TRAIRFI630G

$ 68.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor IRFI630G de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

El IRFI630G es un Power MOSFET de modo de mejora de canal N de tercera generación que viene con la mejor combinación de conmutación rápida, diseño robusto del dispositivo y baja resistencia de encendido. El FULLPAK elimina la necesidad de hardware de aislamiento adicional. El compuesto de moldeo utilizado proporciona una alta capacidad de aislamiento y una baja resistencia térmica entre la pestaña y el disipador de calor externo. El aislamiento es equivalente a utilizar una barrera de mica de 100 micrones con un producto estándar. El FULLPAK se monta en un disipador de calor mediante un solo clip o mediante un solo tornillo de fijación.

  • Encapsulado aislado
  • Clasificación dinámica dV / dt
  • Baja resistencia térmica
  • Carga de puerta baja
  • 100% avalancha probado
  • Alta velocidad de conmutación
  • Aplicaciones: Industrial, administración de potencia, comercial

Información Básica

  • Polaridad: Canal-N
  • Voltaje drenaje-fuente VDSS: 200 V
  • Tensión Vgs de medición Rds(on) : 10 V
  • Tensión umbral Vgs: 4 V
  • Intensidad drenador continua Id: 5.9 A
  • Disipación de potencia Pd: 32 W
  • Resistencia de activación Rds(on) máxima: 0.400 ohm
  • Temperatura de trabajo mínima. -55 °C
  • Temperatura de trabajo máxima: 150°C
  • Encapsulado TO-220F
  • 3 pines

Sustituto

NTE2944   

Documentación

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