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Transistor IRFD120 Mosfet Pequeña Señal CH-N 100 V 1.3 A

Transistor IRFD120 Mosfet Pequeña Señal CH-N 100 V 1.3 A

TRAIRFD120

$ 25.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor IRFD120 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.
El IRFD120PBF es un MOSFET de potencia de canal N de 100 V, el MOSFET de potencia HEXFET® de tercera generación proporciona al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto y baja resistencia. El paquete es un estilo de caja insertable a máquina que se puede apilar en combinaciones múltiples en centros estándar de 0,1 pulgadas. El drenaje dual sirve como enlace térmico a la superficie de montaje para niveles de disipación de potencia de hasta 1W.



  • Evaluación dinámica dv / dt
  • Avalancha repetitiva
  • 175 ° C Temperatura de trabajo
  • Fácil de paralelo
  • Requisito de unidad simple
  • Para inserción automática
  • Apilable en el extremo
  • Aplicaciones: Administración de potencia

Información Básica

  • Polaridad: Canal N
  • Intensidad drenador continua Id: 1.3 A
  • Tensión drenaje-fuente Vds: 100 V
  • Resistencia de activación Rds(on): 270 mohm
  • Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V
  • Tensión umbral Vgs: 4
  • Disipación de potencia Pd: 1.3 W
  • Temperatura de trabajo mínima: -55°C
  • Temperatura de trabajo máxima: 175°C
  • Encapsulado DIP
  • 4 pines

Sustituto

No Aplica

Documentación

Datasheet

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