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Transistor IRFB4227PBF Mosfet TO220 CH-N 200 V 65 A

Transistor IRFB4227PBF Mosfet TO220 CH-N 200 V 65 A

TRAIRFB4227PBF

$ 560.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor IRFB4227PBF de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

El IRFB4227PBF es un mosfet conmutador  de potencia  de 20 canales HEXFET® de 200 V diseñado para sostener aplicaciones de recuperación de energía y conmutación para paneles de plasma. Mediante la adaptación de las últimas técnicas se logra una baja resistencia por área de silicio y la clasificación EPULSE.
  • 175 ° C Temperatura de funcionamiento
  • Baja QG para una respuesta rápida
  • Alta capacidad de corriente pico repetitiva para un funcionamiento fiable
  • Breve caída y tiempos de subida para una conmutación rápida
  • Capacidad de avalanchas repetitivas para robustez y fiabilidad
  • Aplicaciones: Administración de potencia, industrial

Información Básica

    • Polaridad del transistor: Canal N
    • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 200 V
    • Voltaje de drenaje a puerta VDGR: 240 V
    • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±30 V
    • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 65 A
    • Corriente de drenaje pulsada IDP: 260 A
    • Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 330 W
    • Resistencia de activación RDS(on) typ: 0.0197 Ohms
    • Temperatura de operación mínima: -40 °C
    • Temperatura de operación máxima: 175 °C
    • Encapsulado: TO-220
    • Número de pines: 3

    Sustituto

    No Aplica

    Documentación

    Datasheet

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