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Transistor IRFB3607 Mosfet TO220 CH-N 75 V 80 A

Transistor IRFB3607 Mosfet TO220 CH-N 75 V 80 A

TRAIRFB3607

$ 135.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

Transistor mosfet IRFB3607 tipo T de un solo canal N 75V HEXFET® T con muy baja resistencia por unidad de superficie de silicio y el rendimiento de conmutación rápida utilizando la tecnología MOSFET Trench. Adecuado para la rectificación síncrona de alta eficiencia en SMPS, sistema de alimentación ininterrumpida, de conmutación de potencia de alta velocidad, fuerza conmutados y circuitos de alta frecuencia.

 

El IRFB3607PBF es un MOSFET de 75 V de canal N HEXFET® de potencia con una resistencia extremadamente baja por área de silicio y un rendimiento de conmutación rápido utilizando tecnología Trench MOSFET. Adecuado para la rectificación síncrona de alta eficiencia en SMPS, fuente de alimentación ininterrumpida, conmutación de alta velocidad de potencia, circuitos de alta frecuencia y conmutación.


  • Puerta mejorada, avalancha y robustez dv / dt dinámica
  • Capacidad completamente caracterizada y avalancha SOA
  • Diodo cuerpo mejorado dV / dt y dI / dt capacidad
  • Aplicaciones: Administración de potencia, industrial

Especificaciones

    • Polaridad del transistor: Canal N
    • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 75 V
    • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20 V
    • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 80 A
    • Corriente de drenaje pulsada IDP: 310 A
    • Corriente de avalancha IAR: 46 A
    • Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 140 W
    • Resistencia de activación RDS(on) typ:  0.0073 Ω
    • Temperatura de operación mínima: -55 °C
    • Temperatura de operación máxima: 175 °C
    • Encapsulado: TO-220
    • Número de pines: 3

    Sustituto

    STP75NF75  

    Documentación

    Datasheet

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