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Transistor IRFB260N Mosfet TO220 CH-N 200 V 56 A

Transistor IRFB260N Mosfet TO220 CH-N 200 V 56 A

TRAIRFB260N

$ 95.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor IRFB260 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

El IRFB260NPBF es un MOSFET de potencia HEXFET® de 200 V con una resistencia extremadamente baja por área de silicio y un rendimiento de conmutación rápido usando tecnología planar avanzada.

  • Carga de compuerta a drenaje baja para reducir pérdidas de conmutación
  • Capacidad completamente caracterizada incluyendo COSS efectivo para simplificar el diseño
  • Voltaje y corriente de avalancha completamente caracterizados
  • Aplicaciones: Administración de potencia, convertidores DC-DC de alta frecuencia

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 200 V
  • Voltaje de compuerta a fuente VGS: ±10 V
  • Corriente continua de drenaje ID: 56 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDP: 72 A
  • Corriente de avalancha IAR: 18 A
  • Disipación de potencia máxima PD: 380 W
  • Resistencia de activación Rds(on) máxima: 0.04 Ohms
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 175 °C
  • Encapsulado: TO-220AB
  • 3 pines

Sustituto

No Aplica

Documentación

Datasheet

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