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Transistor IRFB23N20DPBF Mosfet TO220 CH-N 200 V 24 A

Transistor IRFB23N20DPBF Mosfet TO220 CH-N 200 V 24 A

TRAIRFB23N20D

$ 130.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor IRFB23N20 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

El IRFB23N20DPBF es un MOSFET de potencia N-canal HEXFET® de 200 V con una resistencia extremadamente baja por área de silicio y un rendimiento de conmutación rápido utilizando tecnología planar avanzada.


 

  • Puerta baja para drenar para reducir las pérdidas por conmutación
  • Capacitancia completamente caracterizada que incluye COSS eficaz para simplificar el diseño (consulte AN 1001)
  • Voltaje y corriente de avalancha completamente caracterizados
  • Aplicaciones: Administración de potencia, convertidores DC-DC de alta frecuencia

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 200 V
  • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±30 V
  • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 24 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDP: 96 A
  • Corriente de avalancha IAR: 14 A
  • Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 170 W
  • Resistencia de activación RDS(on) máxima: 0.10 Ohms
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 175 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • Número de pines: 3

Sustituto

No Aplica

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