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Transistor IRF740FI Mosfet TO220 CH-N 400 V 10 A

Transistor IRF740FI Mosfet TO220 CH-N 400 V 10 A

TRAIRF740FI

$ 37.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor IRF740 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

El IRF740FI es un MOSFET de modo de mejora de canal N de 400 V diseñado para aplicaciones de conmutación de potencia de alta velocidad y requisitos de accionamiento simples.

  • Clasificación dV / dt dinámica
  • Avalancha repetitiva calificada
  • Interruptor de alta velocidad
  • Fácil de paralelar
  • Aplicaciones: Administración de potencia, industrial, dispositivos portátiles, electrónica de consumo  

Información Básica

  • Polaridad: Canal-N
  • Voltaje de drenaje-fuente Vds: 400 V
  • Intensidad drenador continua Id:10 A
  • Tensión Vgs de medición Rds (on): 10 V
  • Tensión umbral Vgs: 4 V
  • Disipación de potencia Pd: 125 W
  • Resistencia de activación Rds(on) máxima: 0.55 ohms
  • Temperatura mínima de operación: -55°C
  • Temperatura máxima de operación: 150°C
  • Encapsulado TO-220
  • 3 pines

Sustituto

NTE2397 

Documentación

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