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Transistor IRF720 Mosfet TO220 CH-N 400 V 3.3 A

Transistor IRF720 Mosfet TO220 CH-N 400 V 3.3 A

TRAIRF720

$ 69.00 MXN

Precio Regular: $ 86.00
Precio incluye IVA

Descripción

El transistor IRF720  de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

  • Baja resistencia térmica
  • Tecnología de proceso avanzada
  • Clasificación dinámica dv / dt
  • Cambio rápido
  • Totalmente avalancha nominal
  • Facilidad de paralelismo
  • Requisito de manejo simple
  • Aplicaciones: Administración de potencia, industrial, dispositivos portátiles, electrónica de consumo  

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal N
  • Intensidad drenador continua Id: 3.3 A
  • Voltaje de drenaje- fuente Vds: 400 V
  • Tensión Vgs de medición Rds (on): 10 V
  • Tensión umbral Vgs: 4 V
  • Disipación de potencia Pd: 50 W
  • Resistencia de activación RDS(ON) typ: 1.4 ohms
  • Temperatura de operación mínima: -55°C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • 3 Pines

    Sustituto

    NTE2397   2SK2876   FQP5N50C   IRF830   TK5A50D

    Documentación

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