Inicio » Semiconductores
» Transistor IRF634 Mosfet TO220 CH-N 250 V 8.1 A
Transistor IRF634 Mosfet TO220 CH-N 250 V 8.1 A

Transistor IRF634 Mosfet TO220 CH-N 250 V 8.1 A

TRAIRF634

$ 54.00 MXN

Precio Regular: $ 70.00
Precio incluye IVA

Descripción

El transistor IRF634  de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

 

  • Facilidad de paralelismo
  • Calificación dinámica dv / dt
  • Cambio rápido
  • Requisitos de manejo simples
  • Avalancha repetitiva clasificada
  • Aplicaciones: Administración de potencia

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal N
  • Intensidad drenador continua Id: 8.1 A
  • Voltaje de drenaje- fuente Vds: 250 V
  • Tensión Vgs de medición Rds (on): 10 V
  • Tensión umbral Vgs: 4
  • Disipación de potencia Pd: 74W
  • Resistencia de activación Rds (on) typ: 0.38 ohms
  • Temperatura de operación mínima: -55°C
  • Temperatura de operación máxima: 150°C
  • Encapsulado: TO-220
  • 3 Pines

Sustituto

IRF644  

Documentación

Productos Relacionados

Comentarios