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Transisto IRF3415 Mosfet TO220 CH-N 150 V 43 A

Transisto IRF3415 Mosfet TO220 CH-N 150 V 43 A

TRAIRF3415

$ 85.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

Transistor mosfet IRF3415PBF Tipo  de potencia de N-canal único de quinta generación de HEXFET® utiliza técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia ON extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo, proporciona un funcionamiento extremadamente eficiente y confiable. El paquete es universalmente preferido para todas las aplicaciones comerciales industriales a niveles de disipación de potencia de aproximadamente 50 W.

  • Tecnología avanzada de procesos
  • Valor dinámico dV / dt
  • Totalmente avalancha
  • Aplicaciones: Comercial, industrial, administración de potencia  

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 150 V
  • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20 V
  • Corriente continua de drenaje ID: 43 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDP: 150 A
  • Corriente de avalancha IAR: 22 A
  • Disipación de potencia máxima PD: 200 W
  • Resistencia VGS RDS(on) máximo: 0.042 Ω
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • Número de pines: 3

Aplicaciones

  • Controladores de motor: Regulación de velocidad y dirección en motores de corriente continua (DC) y motores paso a paso
  • Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS):  Uso en convertidores reductores o elevadores (Buck/Boost) y fuentes de poder ininterrumpidas (UPS)
  • Inversores solares: Conversión eficiente de energía de corriente continua (paneles) a corriente alterna (CA) o uso en inversores de baterías de respaldo
  • Controladores de relé y solenoides: Activación de bobinas de alta potencia que requieren conmutación rápida y segura
  • Amplificadores de audio: Su diseño robusto y velocidad de conmutación permiten su uso en etapas de salida de amplificador

Sustituto

NTE2950

Documentación

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