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Transistor FQP5N60 Mosfet TO220 CH-N 600 V 5 A

Transistor FQP5N60 Mosfet TO220 CH-N 600 V 5 A

TRAFQP5N60

$ 25.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor FQP5N60 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

El FQP5N50 es un MOSFET de potencia de N-canal de 600 V con un encendido más rápido. Este dispositivo es adecuado para su uso con las aplicaciones de alimentación, adaptador y SMPS del panel LCD.


  • Baja resistencia ON
  • Mejora la eficiencia
  • Carga baja de la puerta
  • Avalancha probada al 100%
  • Aplicaciones: Fuente de alimentación de modo de conmutación de alta eficiencia

Información Básica

    • Polaridad del transistor: Canal N
    • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 600 V
    • Voltaje de puerta a fuente VGS: ± 30 V
    • Corriente de drenaje ID: 5 A
    • Corriente de drenaje pulsada: 20 A
    • Disipación de potencia (Tc=25°C): 120 W
    • Resistencia de activación Rds(on) typ: 1.57 ohms
    • Temperatura de operación mínima: -55 °C
    • Temperatura de operación máxima: 150 °C
    • Encapsulado: TO-220
    • Número de pines: 3

    Sustituto

    FQPF8N60C   SPP6N60

    Documentación 

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