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Transistor FQP32N12V2 Mosfet TO220 CH-N 120 V 32 A

Transistor FQP32N12V2 Mosfet TO220 CH N 120 V 32 A

TRAFQP32N12V2

$ 35.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor FQP32N12V2 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

El FQP32N12V2 cuenta con pulso de energía, avalancha y modo de conmutación. Estos dispositivos están bien adecuado para convertidores CC a CC, rectificación sincronizada, y otras aplicaciones se requiere Rds más bajo (activado).

  • 32 A, 120 V, RDS (encendido)  = 0.05Ω  @VGS  = 10 V
  • Carga de puerta baja (típico 41 nC)
  • Crs baja (típica 70 pF)
  • Cambio rápido
  • Avalancha probado al 100%
  • Mejora de la capacidad dv / dt
  • Aplicaciones: Para convertidores de CC a CC, rectificación síncrona y otras aplicaciones

Información Básica

    • Polaridad del transistor: Canal N
    • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 120 V
    • Voltaje de puerta a fuente VGS: ± 30 V
    • Corriente de drenaje ID: 32 A
    • Corriente de drenaje pulsada: 128 A
    • Disipación de potencia (Tc=25°C): 150 W
    • Resistencia de activación Rds(on) typ: 0.043 ohms
    • Temperatura de operación mínima: -55 °C
    • Temperatura de operación máxima: 150 °C
    • Encapsulado: TO-220
    • Número de pines: 3

    Sustituto

    IXTP56N15T

    Documentación 

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