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Transistor BUK436-800A Mosfet Potencia CH-N 800 V 4 A

Transistor BUK436-800A Mosfet Potencia CH-N 800 V 4 A

TRABUK436800A

$ 54.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor  BUK436-800A de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.
El mosfet  BUK436-800A está diseñado para su uso en fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS), control de motores, soldadura, convertidores CC / CC y CA / CC, y en aplicaciones de conmutación de uso general.

 

  • Aplicaciones: Administración de potencia

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal-N
  • Voltaje de drenaje-fuente VDS: 800 V
  • Voltaje de drenaje-puerta VDGR: 800 V
  • Voltaje de fuente-puerta VGS: ± 30 V
  • Corriente de drenaje continuo ID: 4 A
  • Corriente pulso máxima IDP: 16 A
  • Resistencia de activación Rds(on): 3 Ω
  • Disipación de potencia máxima (TC=25°C): 50 W
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO-3P
  • Número de pines: 3

    Sustituto

    2SK1359     2SK796

    Documentación

    Datasheet

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