Inicio » Semiconductores
» Transistor AP04N70BF Mosfet TO220 CH-N 700 V 4 A
Transistor AP04N70BF Mosfet TO220 CH-N 700 V 4 A

Transistor AP04N70BF Mosfet TO220 CH-N 700 V 4 A

TRAAP04N70BF

$ 19.00 MXN

Precio Regular: $ 26.00
Precio incluye IVA

Descripción

El transistor AP04N70 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

El AP04N70BF  está diseñado especialmente para dispositivos de conmutación universal de 90 ~ 265VAC off-line AC / DC y para plicaciones de convertidor,  para bloqueo  de alta tensión,  para superar el aumento de voltaje y el hundimiento en el sistema de energía más resistente con la mejor combinación de rápido diseño robusto y rentabilidad.

  • Clasificación dinámica dv / dt
  • Clasificación de avalancha repetitiva RDS (ON) 2.4Ω ▼
  • Conmutación rápida
  • Requisito de unidad simple
  • Cumple con RoHS
  • Aplicaciones: Conmutación de alta tensión

Información Básica

  • Polaridad: Canal-N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 700 V
  • Voltaje de compuerta a fuente VGS: ±30 V
  • Voltaje de drenaje a compuerta VDGR: 60 V
  • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 64 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDP: 185A
  • Disipación de potencia máxima PD (Tc=25°C): 33 W
  • Resistencia de disparo RDS (on) typ: 1.36 Ω
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado TO-220
  • 3 pines

Sustituto

No Aplica

Documentación

Datasheet

Productos Relacionados

Comentarios