$ 40.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor 2SK3561 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

 

  • Baja resistencia de encendido de la fuente de drenaje: RDS (ENCENDIDO) = 0.75 (típico)
  • Alta admitancia de transferencia hacia adelante: | Yfs | = 6.5S (tipo)
  • Corriente de fuga baja: IDSS = 100 μA (VDS = 500 V)
  • Modo de mejora: Vth = 2.0 ~ 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
  • Aplicaciones: Regulación de conmutación

Información Básica

  • Polaridad: Canal-N
  • Voltaje drenaje fuente VDSS: 500 V
  • Voltaje puerta fuente  VGSS: ± 30 V
  • Corriente drenaje ID: 8 A
  • Corriente pulso máxima IDP: 32 A
  • Disipación de potencia  PD (TC=25°C): 40 W
  • Resistencia de activación Rds(on) typ: 0.75 Ω
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150°C
  • Encapsulado TO-220F
  • 3 pines

Sustituto

NTE2911  2SK2543     STP11NK50Z

Documentación

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