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Descripción

El transistor 2sk3498 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.


  • Resistencia baja de la fuente de drenaje ON: RDS (ON) = 4,0Ω(Típico).
  • Entrada de transferencia de alta velocidad:YFs  = 0,6 S (típico)
  • Baja corriente de fuga: IDSS =100 μA (máx.) (VDS= 400 V)
  • Modelo de mejora: VTh= 2,0 a 4,0 V (VDS =10 V, Ire =1 mA
  • Aplicaciones: Convertidor DC-DC para funciones de unidad de relé y accionamiento de motor
 

Información Básica

  • Polaridad: Canal-N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 400 V
  • Voltaje de drenaje a puerta VDGR: 400 V
  • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±30 V
  • Corriente continua de drenaje ID: 1 A
  • Corriente pulso máxima IDP: 3 A
  • Disipación de potencia máxima PD (Tc=25°): 20 W
  • Resistencia de disparo RDS (on) typ: 4.0 Ω
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado TO-220F
  • 3 pines

    Sustituto

    NTE2948

    Documentación

    Datasheet

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