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Transistor 2SK2101-01MR Mosfet TO220 CH-N 800 V 6 A

Transistor 2SK2101-01MR Mosfet TO220 CH-N 800 V 6 A

TRA2SK2101

$ 26.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

Transistor mosfet 2SK2101-01MR de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

 

  • Baja resistencia
  • Sin desglose secundario
  • Baja potencia de conducción, alto voltaje
  • Garantía de prueba de avalancha VGS = ± 30V
  • Aplicaciones: Administración de potencia

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal-N
  • Voltaje de drenaje-fuente VDS: 800 V
  • Voltaje de drenaje-puerta VDGR: 800 V
  • Voltaje de fuente-puerta VGS: ± 30 V
  • Corriente de drenaje continuo ID: 6 A
  • Corriente pulso máxima IDP: 24 A
  • Resistencia de activación Rds(on) typ: 1.7 Ω
  • Disipación de potencia máxima PD (TC=25°C): 50 W
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO-220F
  • Número de pines: 3

    Sustituto

    FQP6N90C

    Documentación

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