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Transistor 2SK1937 Mosfet Potencia CH-N 500 V 15 A

Transistor 2SK1937 Mosfet Potencia CH-N 500 V 15 A

TRA2SK1937

$ 63.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

Transistor mosfet 2SK1937 de potencia recomendado para aplicaciones de velocidad de conmutación rápida. El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

 

  • Conmutación de alta velocidad
  • Baja resistencia a la corriente
  • Sin ruptura secundaria
  • Bajo poder de conducción
  • Alto voltaje
  • Prueba de avalancha
  • Aplicaciones: Reguladores de conmutación, UPS, convertidores CC-CC, amplificador de potencia de uso general

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 500 V
  • Voltaje de drenaje a puerta VDGR: 500 V
  • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±30 V
  • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 15 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDP: 60 A
  • Corriente de avalancha IAR: 15 A
  • Resistencia de disparo RDS(on): 0.48 Ω
  • Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 125 W
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO-3P
  • Número de pines: 3

    Sustituto

    NTE2970  2SK1938   2SK2698   2SK2837   2SK3235    IRFP460

    Documentación

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