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Transistor 2SK1120 Mosfet Potencia CH-N 1000 V 8 A

Transistor 2SK1120 Mosfet Potencia CH-N 1000 V 8 A

TRA2SK1120

$ 42.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

Transistor mosfet  2SK1120  de potencia.  de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

  • Alta velocidad de conmutación
  • Resistencia baja
  • Baja corriente de fuga
  • Aplicaciones: Convertidor DC-DC, control de motor, conmutación rápida

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal-N
  • Voltaje drenaje fuente VDSS: 1000 V
  • Voltaje puerta fuente VGSS: ± 20 V
  • Corriente drenaje ID: 8 A
  • Corriente pulso máxima IDP: 24 A
  • Disipación de potencia PD (TC=25°C): 150 W
  • Fuente de drenaje en resistencia VGS RDS(on): 1.5 Ohms
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO-3P
  • 3 pines 

Sustituto

No Aplica

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