Inicio » Semiconductores
» Transistor 2SJ112 Mosfet Potencia CH-P 35 V 50 mA
Transistor 2SJ112 Mosfet Potencia CH-P 35 V 50 mA

Transistor 2SJ112 Mosfet Potencia CH-P 35 V 50 mA

TRA2SJ112

$ 55.00 MXN

Precio Regular: $ 59.00
Precio incluye IVA

Descripción

Transistor mosfet 2SJ112 potencia. El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

 

  • Ganancia  de alta potencia
  • Alta transconductancia
  • Aplicaciones: Para uso en amplificadores VHF en FM, TV y equipos de comunicaciones móviles


Información Básica

  • Polaridad del transistor: PNP
  • Voltaje  drenaje fuente VDSS: 35  V
  • Voltaje puerta fuente VGS: - 30 V
  • Corriente puerta IG: 50 mA
  • Disipación de potencia: 625 mW
  • Temperatura de operación mínima: -55°C
  • Temperatura de operación máxima: 150°C
  • 2 pines

Sustituto

No Aplica

Documentación

Wikipedia

Productos Relacionados

Comentarios