$ 10.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

Transistor 2SB633 diseñado para su uso en aplicaciones de la etapa de salida del amplificador de potencia de 25 W a 35 W.

 

  • Bajo voltaje de saturación en el colector-emisor
  • Complemento del 2SD613

Información Básica

  • Polaridad del transistor: PNP
  • Voltaje colector base VCBO:  -100 V
  • Voltaje colector emisor VCEO: -85 V
  • Voltaje emisor base VEBO: -6 V
  • Corriente colector Ic:  -6 A
  • Disipación colector Pc (Tc=25°C): 200 W
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • Número de pines: 3

Sustituto

NTE378  2SA1307  2SB633  2SB1370   D45H11  KTB1366

Documentación

Datasheet

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