STRF6658B semiconductor refacciones electronicas componentes electronicos todo en electronica tienda de electronica en Torreon tienda en linea en Mexico mecatronica robotica computacion audio reparacion de aparatos electronicos cmos ttls transistores resistencias capacitores accesorios proyectos diodos arduino sparkfun pololu todo en electronica circuito integrado str-f6658b circuito strf6658b

$ 70.00 MXN Precio incluye IVA

Cantidad

Descripción

Descripción

Circuito Integrado STRF6658B diseñado para satisfacer los requisitos mentos para una mayor integración y confiabilidad en cuasi-resonantes fuera de línea convertidores flyback. La serie incorpora un control primario y una unidad. circuito con MOSFET discretos de potencia nominal de avalancha. Cubriendo el rango de potencia desde menos de 25 vatios hasta 300 vatios para Entradas de 100/115/230 VCA y hasta 150 vatios para 85 a 265 VCA entrada universal, estos dispositivos se pueden utilizar en una variedad de aplicaciones, desde cargadores de batería y decodificadores, hasta televisores, monitores y Unidades de suministro de energía industrial. Limitación de corriente ciclo a ciclo, bloqueo por bajo voltaje con hister- esis, protección contra sobretensión y apagado térmico protege la energía suministro durante las condiciones normales de sobrecarga y falla. Sobretensión la protección y el apagado térmico se bloquean después de un breve retraso. La el pestillo se puede restablecer ciclando el suministro de entrada. Arranque de baja corriente y un modo de espera de bajo consumo seleccionado del circuito secundario se completa un conjunto completo de funciones. La serie se proporciona en cinco pines. paquete de estilo TO-3P sobremoldeado, que ofrece aislamiento dieléctrico sin comprometer las características térmicas.

Diseñado para satisfacer una mayor integración y confiabilidad en cuasi-resonantes fuera de línea convertidores flyback
La serie incorpora un control primario y una operación de retroceso seco con conmutación suave cuasi-resonante para baja disipación de energía y EMI MOSFET resistente con clasificación de avalancha
Elección de voltaje MOSFET y rDS (encendido)
Protección total contra sobrecorriente (sin supresión)
Bloqueo por bajo voltaje con histéresis
Protección contra sobretensión
Retroalimentación de voltaje directo
Corriente de arranque baja (<400 μA)
Funcionamiento en espera de baja frecuencia y bajo consumo