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SCR 12 A 800 V TO220 2N6399G

SCR 12 A 800 V TO220 2N6399G

SCR2N6399G

$ 63.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El  SCR (Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio, es un dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones pn con la disposición pnpn. La conducción entre ánodo y cátodo es controlada por el terminal de puerta. Es un elemento unidireccional, conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la vez.
El SCR necesita una corriente mínima de mantenimiento  (IH) para que se mantenga en conducción y una corriente de enclavamiento (IL)  para que el dispositivo pueda permanecer en conducción cuando se eliminan los pulsos de la compuerta.

 


El 2N6399G es un SCR de silicio de 3-pines, diseñado primordialmente para aplicaciones de control de CA de media-onda. Las uniones de vidrio pasivado con geometría de compuerta central son para lograr un parámetro superior de uniformidad y estabilidad. Voltaje de bloqueo para 800 volts.


  • Voltaje de bloqueo a 800 V
  • Alta disipación de calor y durabilidad
  • Capacidad de alta intensidad
  • Alta estabilidad y confiabilidad
  • Alta corriente del estado
  • Aplicaciones: HVAC, iluminación, electrónica de consumo, instrumentación y medida, industrial 

Información Básica

  • Tipo semiconductor: SCR
  • Tensión máxima de apagado repetitiva, Vdrm: 800 V
  • Corriente de trigger de la compuerta máxima Igt: 30 mA
  • Intensidad It media: 12 A
  • Corriente RMS de encendido It(rms): 12 A
  • Corriente máxima transitoria no repetitiva Itsm 50 Hz: 100 A
  • Corriente máxima de retención Ih: 50 mA
  • Corriente de trigger de la compuerta máxima Vgt: 1.5 V
  • Potencia pico de compuerta: 20 W
  • Temperatura de operación mínima:  -40 °C
  • Temperatura de operación máxima: 125 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • Número de pines: 3

Sustituto

NTE5558  2N6403    S6015L   S8025L

Documentación

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