Inicio » Semiconductores
» M27C256B-12F1 Memoria CMOS EPROM
M27C256B-12F1 Memoria CMOS EPROM

M27C256B-12F1 Memoria CMOS EPROM

CIM27C256B12F1

$ 85.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

Circuito integrado 27C256B-12F1 ideal para sistemas de microprocesadores y está organizado como 32.768 por 8 bits. El FDIP28W (ventana cerámica frita-sellado) tiene una tapa transparente que permite al usuario exponer el chip a luz ultravioleta para borrar el patrón de bits. Un modelo nuevo puede ser escrito en el dispositivo siguiendo el procedimiento de programación. Para aplicaciones en las que se programa el contenido de una sola vez y el borrado no se requiere, la M27C256B se ofrece en PDIP28, PLCC32 y TSOP28 (8 x 13,4 mm) paquetes.

Especificaciones

  • Tipo: Memoria CMOS EPROM
  • Configuración de la memoria: 32 K x 8
  • Tamaño de la memoria: 256 Kbit
  • Suministro de voltaje mínimo: 4.5 V
  • Suministro de voltaje máximo: 5.5 V
  • Voltaje programación: 12.75 V  ±0.25V
  • Corriente activa: 30 mA a 5 MHz
  • Corriente standby: 100  μA
  • Tiempo de acceso: 70 ns
  • Temperatura de funcionamiento mínima: -40 ° C 
  • Temperatura de funcionamiento máxima: 85 ° C
  • Encapsulado: DIP
  • 28 pines

Sustituto

No Aplica

Documentación

Nota: Circuito integrado sensible, tomar precauciones durante su manipulación como pulsera anti estática

Productos Relacionados

Comentarios