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Transistor IRFP3206PBF Mosfet Potencia CH-N 60 V 200 A

Transistor IRFP3206PBF Mosfet Potencia CH-N 60 V 200 A

TRAIRFP3206

$ 117.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor IRFP3206PBF de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

El IRFP3206PBF es un MOSFET  de potencia de canal N de tercera generación que viene con la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto y baja resistencia ON. El paquete ofrece mayores distancias de fuga entre los pines para cumplir con los requisitos de la mayoría de las especificaciones de seguridad.


  • Facilidad de paralelizar
  • Capacidad dV/dt y dI/dt de cuerpo de diodo mejoradas
  • Solidez de dv/dt dinámica, avalancha y compuerta mejoradas
  • SOA de avalancha y capacitancia totalmente caracterizada
  • Agujero de montaje central aislado
  • Requisitos de unidad sencilla
  • Rectificación síncrona de alta eficiencia en SMPS
  • Fuente de alimentación ininterrumpida
  • Conmutación de energía de alta velocidad
  • Circuitos de alta frecuencia y conmutación
  • Aplicaciones: Administración de potencia

Información Básica

  • Polaridad: Canal N
  • Tensión drenaje-fuente Vds: 60 V
  • Tensión Vgs de medición Rds(on): 20 V
  • Tensión umbral Vgs: 4 V
  • Intensidad drenador continua Id: 200 A
  • Disipación de potencia Pd: 280 W
  • Resistencia de activación Rds(on) máxima: 0.003 ohms
  • Temperatura de trabajo máxima: 175 °C
  • Encapsulado TO-247
  • 3 pines

Sustituto

No Aplica

Documentación

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