Inicio » Semiconductores
» Transistor STW12NK90Z Mosfet Potencia CH-N 900 V 11 A
Transistor STW12NK90Z Mosfet Potencia CH-N 900 V 11 A

Transistor STW12NK90Z Mosfet Potencia CH-N 900 V 11 A

TRASTW12NK90Z

$ 71.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor STW12NK90Z de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

 

  • Protegido por zener
  • Capacidad dv / dt extremadamente alta
  • 100% avalancha probado
  • Carga de puerta minimizada
  • Capacidades intrínsecas muy bajas
  • Aplicaciones: Conmutación

Información Básica

  • Polaridad del transistor:  Canal N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 900 V
  • Voltaje de drenaje a compuerta VDGR: 900 V
  • Voltaje de compuerta a fuente VGS: ±30 V
  • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 11 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDM: 44 A
  • Corriente de avalancha IAR: 11 A
  • Disipación de potencia total PD (Tc=25°C): 230 W
  • Resistencia de activación RDS(on) typ: 0.72 Ω
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150 ° C
  • Tipo de caja de transistor: TO-247
  • Número de pines: 3

Sustituto

Ni aplica

Documentación

Datasheet

Productos Relacionados

Comentarios