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Transistor FQP6N90C Mosfet TO220 CH-N 900 V 6 A

Transistor FQP6N90C Mosfet TO220 CH-N 900 V 6 A

TRAFQP6N90C

$ 90.00 MXN

Precio Regular: $ 110.00
Precio incluye IVA

Descripción

El transistor FQP6N90C de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.
El FQP6N90C es un Mosfet ha sido especialmente diseñada para minimizar la resistencia en el estado,   proporcionar un rendimiento de conmutación superior y soportar pulsos de alta energía en el modo de conmutación y   avalancha. Estos dispositivos son adecuados para suministros de energía de modo de conmutación de alta eficiencia y   corrección de factor de potencia activa.

  • Carga baja de la puerta (30nC)
  • Bajo Crss (11pF)
  • 100% avalancha probada
  • Aplicaciones: Para fuentes de alimentación de modo conmutado de alta eficiencia

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 900 V
  • Voltaje de puerta a fuente VGS: ± 30 V
  • Corriente de drenaje ID: 6 A
  • Corriente de drenaje pulsada: 24 A
  • Disipación de potencia (Tc=25°C): 167 W
  • Resistencia de activación Rds(on) typ: 1.5 ohms
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • Número de pines: 3

Sustituto

No aplica

Documentación

Datasheet

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