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Transistor 30G124 Mosfet IGBT TO220 CH-N 430 V 200 A

Transistor 30G124 Mosfet IGBT TO220 CH-N 430 V 200 A

TRA30G124

$ 52.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor 30G124 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET. El transistor GT30G124 Mosfet es utilizado para la circuitería de accionamiento de los paneles de visualización de plasma (PDP). Sin embargo, recientemente, los IGBT se usan comúnmente en aplicaciones de corriente grandes debido a su capacidad superior de conducción de corriente.

 

  • Tipo IGBT
  • Conmutación rápida
  • Bajo voltaje de saturación del colector-emisor incluso en la gran área de corriente
  • Diodo integrado con características óptimas adaptadas a aplicaciones específicas
  • Alta impedancia de entrada permite unidades de voltaje
  • Aplicaciones: Equipos electrónicos plasma

Información Básica

  • Polaridad de transistor: Canal N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 430 V
  • Corriente  drenaje ID: 200 A
  • Disipación de potencia PD (TC=25°C): 25 W
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO-220F
  • Número de pines: 3

Aplicaciones

  • Fuentes de poder:  Sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS)
  • Control de potencia: Equipos electrónicos de conmutación rápida y manejo de cargas grandes
  • Paneles de plasma:  Circuitería de accionamiento y control en televisiones y pantallas de visualización de plasma (PDP)

Sustituto

No Aplica

Documentación

Datasheet

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