$ 119.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor SPP08N80C3 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

 

  • Nueva tecnología revolucionaria de alto voltaje
  • Carga de compuerta ultra baja
  • Avalancha periódica calificada
  • Gran rango dv/dt clasificado
  • Gran capacidad de corriente pico
  • Transconductancia mejorada
  • Aplicaciones: Industrial, conmutación

Información Básica

  • Polaridad: Canal-N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 800 V
  • Voltaje de drenaje a puerta VDGR: 800 V
  • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20 V
  • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 8 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDM: 24 A
  • Corriente de avalancha IAR: 8 A
  • Disipación de potencia total PD (Tc=25°C): 104 W
  • Resistencia VGS RDS(on) typ (T=25°C): 0.65 Ω
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150°C
  • Encapsulado: TO-220
  • 3 pines

    Sustituto

    No Aplica

    Documentación

    Datasheet

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