Inicio » Catálogo de Productos
» Transistor MTA50N05 Mosfet TO220 CH-N 50 V 50 A
Transistor MTA50N05 Mosfet TO220 CH-N 50 V 50 A

Transistor MTA50N05 Mosfet TO220 CH-N 50 V 50 A

TRAMTA50N05

$ 27.00 MXN

Precio Regular: $ 40.00
Precio incluye IVA

Descripción

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

El MTA50N05 esta diseñado para  usar con fuentes de manejo de nivel lógico (5 V) en aplicaciones tales como controladores programables, conmutación automotriz,reguladores de conmutación, convertidores de conmutación, relé de motor, drivers e interruptores emisores para transistores bipolares. El rendimiento se logra a través de una compuerta especial de óxido diseño que proporciona una conductancia nominal completa en el sesgo de la compuerta en el rango 3V - 5V, lo que facilita la verdadera potencia de encendido y apagado. control directamente desde voltajes de suministro de circuito integrado.

 

  • rDS (ON) = 0.022Ω
  • Curva de clasificación UIS SOA (pulso simple)
  • Diseño optimizado para unidad de compuerta de 5V
  • Se puede conducir directamente desde circuitos CMOS, NMOS, TTL
  • Compatible con los requisitos de la unidad automotriz
  • SOA es limitada por disipación de energía
  • Conmutación de velocidades en nanosegundos
  • Características de transferencia lineal
  • Alta impedancia de entrada

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal-N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 50 V
  • Voltaje de compuerta a fuente VGS: ±10
  • Voltaje de drenaje a puerta VDGR:50 V
  • Corriente continua de drenaje ID:  50 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDP: 130 A
  • Disipación de potencia máxima PD: 110 W
  • Resistencia de activación RDS(on) máxima: 0.022 ohms
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • 3 pines

Sustituto

MTP52N06V    RFP50N05   RFP50N06    STP55NE06 

 

Documentación

Productos Relacionados

Comentarios